国榮配资 传LG电子研发HBM混合键合设备 瞄准AI芯片关键技术

　　在一家当地媒体发布相关报道后，LG电子公司的股票在首尔股市上涨。该报道称，该公司正在研发用于制造与英伟达(NVDA.US)及其他公司设计的AI处理器协同工作的存储芯片的尖端工具。消息人士透露，这家韩国公司计划在2028年实现HBM芯片用混合键合机的大规模生产。LG电子表示，其正在对用于HBM的混合键合机进行技术研究，但大规模生产的具体时间尚未确定。

　　韩国是SK海力士公司的所在地，该公司是HBM芯片的重要供应商。HBM由一系列DRAM芯片组成。混合键合对于HBM的制造至关重要，它能够通过直接将相邻层的电极粘合在一起来实现更薄的芯片堆叠。

　　其他正在生产混合式封装设备的韩国公司包括韩美半导体、三星电子旗下Semes以及Hanwha Vision旗下韩华半导体技术部门。韩美半导体的股价周一跌幅高达6.5%，而Hanwha Vision的股价下跌了4.7%，三星电子的股价则下跌了1.3%。

　　现代汽车证券公司的分析师格Greg Roh表示：“混合键合市场的进入门槛相当高，真正的优势在于那些已经熟练掌握这项技术多年的人。在市场持续增长之际探索新业务是有意义的，但鉴于已有实力雄厚的企业参与其中，这还需要得到验证。”

　　该公司还可能面临来自国外的竞争，彭博情报分析师Sean Chen指出，在香港上市的ASMPT和荷兰的BE Semiconductor Industries NV可能会成为混合键合领域的潜在竞争对手。他在一份报告中写道：“随着研发和资本支出的增加，LG电子可能会面临盈利压力，而其销售额贡献在2030年之前可能也会受到限制。”

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